Cd_xZn_1_x_O_Eu_3_荧光粉的制备及其发光性质
文献类型:期刊论文
作者 | 张家骅![]() |
刊名 | 发光学报
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出版日期 | 2008-10-01 |
期号 | 5 |
中文摘要 | 采用高温固相法在1100℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料。采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响。通过对荧光光谱的测试,表明Cd2+的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2+掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380~410nm进行调制,样品的发光以520nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3+的特征发射,表明基质与Eu3+之间的能量传递并不有效。在加入Li+作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3+的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609nm。样品380~410nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。 |
公开日期 | 2012-09-25 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21357] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张家骅. Cd_xZn_1_x_O_Eu_3_荧光粉的制备及其发光性质[J]. 发光学报,2008(5). |
APA | 张家骅.(2008).Cd_xZn_1_x_O_Eu_3_荧光粉的制备及其发光性质.发光学报(5). |
MLA | 张家骅."Cd_xZn_1_x_O_Eu_3_荧光粉的制备及其发光性质".发光学报 .5(2008). |
入库方式: OAI收割
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