MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 申德振
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2008-10-15 |
| 期号 | 5 |
| 关键词 | MgZnO薄膜 太阳盲光电探测器 金属有机化学气相沉积 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截止边为273nm的MgZnO太阳盲光电探测器。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21376]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振. MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器[J]. 发光学报,2008(5). |
| APA | 申德振.(2008).MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器.发光学报(5). |
| MLA | 申德振."MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器".发光学报 .5(2008). |
入库方式： OAI收割
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