生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 申德振
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| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2008-12-15 |
| 期号 | 6 |
| 关键词 | 等离子辅助分子束外延 MgZnO合金 原位反射式高能电子衍射 X射线光电子能谱 |
| ISSN号 | 1007-2780 |
| 中文摘要 | 利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相-混合相-立方相的相结构转变,这与扫描电子显微照片的直观结果相对应。分析指出该结果是由生长温度和Ⅱ、Ⅵ族元素的化学剂量比共同决定的。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21462]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振. 生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响[J]. 液晶与显示,2008(6). |
| APA | 申德振.(2008).生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响.液晶与显示(6). |
| MLA | 申德振."生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响".液晶与显示 .6(2008). |
入库方式： OAI收割
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