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生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响

文献类型:期刊论文

作者申德振
刊名液晶与显示
出版日期2008-12-15
期号6
关键词等离子辅助分子束外延 MgZnO合金 原位反射式高能电子衍射 X射线光电子能谱
ISSN号1007-2780
中文摘要利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相-混合相-立方相的相结构转变,这与扫描电子显微照片的直观结果相对应。分析指出该结果是由生长温度和Ⅱ、Ⅵ族元素的化学剂量比共同决定的。
公开日期2012-09-25
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21462]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
申德振. 生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响[J]. 液晶与显示,2008(6).
APA 申德振.(2008).生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响.液晶与显示(6).
MLA 申德振."生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响".液晶与显示 .6(2008).

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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