半导体照明技术的发展现状和展望
文献类型：期刊论文
| 作者 | 褚明辉
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| 刊名 | 光机电信息
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| 出版日期 | 2008-07-25 |
| 期号 | 7 |
| 关键词 | 荧光粉:4821 宽禁带半导体材料:4447 半导体照明:3440 发光光谱:3191 照明技术:3144 白光:2702 白色发光:2264 照明光源:2121 展望:2067 流明效率:1963 |
| ISSN号 | 1007-1180 |
| 中文摘要 | <正>1前言自20世纪60年代初首只GaAsP红色发光二极管(以下简称LED)问世以来,经过40年的努力,LED的研究和生产得到迅速发展。从GaAsP、GaAlAs到InGaAlP,红色LED的发光效率提高了近1000倍。20世纪90年代初,以氮化物为代表的宽禁带半导体材料 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21715]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 褚明辉. 半导体照明技术的发展现状和展望[J]. 光机电信息,2008(7). |
| APA | 褚明辉.(2008).半导体照明技术的发展现状和展望.光机电信息(7). |
| MLA | 褚明辉."半导体照明技术的发展现状和展望".光机电信息 .7(2008). |
入库方式： OAI收割
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