氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 马仙梅 ; 荆海 ; 王永刚 ; 王龙彦 ; 王中健 ; 马凯 |
| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2009-12-15 |
| 期号 | 6 |
| 关键词 | GZO 磁控溅射 氩气压强 |
| ISSN号 | 1007-2780 |
| 中文摘要 | 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响。所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大。最小方块电阻可达17.6Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10-4Ω.cm。另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21883]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马仙梅,荆海,王永刚,等. 氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响[J]. 液晶与显示,2009(6). |
| APA | 马仙梅,荆海,王永刚,王龙彦,王中健,&马凯.(2009).氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响.液晶与显示(6). |
| MLA | 马仙梅,et al."氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响".液晶与显示 .6(2009). |
入库方式： OAI收割
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