通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王笑夷
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| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2010-08-15 |
| 期号 | 4 |
| 关键词 | 生长温度 碳化锗 性能 |
| ISSN号 | 1007-2780 |
| 中文摘要 | 利用磁控溅射制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜,系统地研究了生长温度(Tg)对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系。研究发现所有Ge1-xCx薄膜样品均为非晶结构,随着Tg从60℃增加到500℃,膜中锗含量增加,而碳含量相对降低,这种成分的改变增加了膜中组成原子的平均质量,进而导致薄膜折射率从2.3增加到4.3,这种折射率大范围连续可调的特性十分有利于Ge1-xCx多层红外增透保护膜的设计和制备。此外研究还发现,随着Tg的增加,Ge1-xCx膜中Ge—H和C—H键逐渐减少,这不但显著减小了薄膜在～5.3μm和～3.4μm处的光吸收,而且显著提高了薄膜的硬度。这些结果表明,提高生长温度是调制Ge1-xCx薄膜成分、改善其光学和力学性能的有效途径。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/22740]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王笑夷. 通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能[J]. 液晶与显示,2010(4). |
| APA | 王笑夷.(2010).通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能.液晶与显示(4). |
| MLA | 王笑夷."通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能".液晶与显示 .4(2010). |
入库方式： OAI收割
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