TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 辛玉洁 ; 于春崎 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2008-12-03 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 薄膜晶体管 5次光刻 背沟道刻蚀型 背沟道保护型 a-Si岛 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型。5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本。研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通过50.8mm液晶屏多次小批量投产进行试验。探讨了刻蚀型5PEP中a-Si岛刻蚀不良、SiNx刻蚀跨断等问题。取得合理的工艺参数,使5PEP能应用于小尺寸液晶屏的TFT量产。 |
| 收录类别 | EI |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23114]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辛玉洁,于春崎. TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺[J]. 半导体技术,2008(12). |
| APA | 辛玉洁,&于春崎.(2008).TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺.半导体技术(12). |
| MLA | 辛玉洁,et al."TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺".半导体技术 .12(2008). |
入库方式： OAI收割
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