硅纳米线阵列的光学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁静秋 ; 梁中翥
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2010-12-20 |
| 卷号 | 31期号:6页码:894-898 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 在常温常压条件下,采用改进的金属催化化学腐蚀方法在n型单晶硅片(100)上制备了大面积垂直于硅衬底、直径均匀、排列整齐的硅纳米线阵列。分析了样品的表面形貌和反射谱,纳米线直径为10~50nm。在腐蚀时间分别为15,30,60min时,纳米线长度分别为9,17,34μm。样品的减反射性能优异,在300~1000nm波段,得到了2.4%的反射率。初步分析了纳米线阵列的减反射机制和不同腐蚀时间样品的反射率差异。 |
| 收录类别 | EI |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23494]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋,梁中翥. 硅纳米线阵列的光学特性[J]. 发光学报,2010,31(6):894-898. |
| APA | 梁静秋,&梁中翥.(2010).硅纳米线阵列的光学特性.发光学报,31(6),894-898. |
| MLA | 梁静秋,et al."硅纳米线阵列的光学特性".发光学报 31.6(2010):894-898. |
入库方式： OAI收割
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