辐射探测芯片吸收膜理论设计及镍磷黑膜制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁静秋 ; 方伟; 梁中翥
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2010-07-20 |
| 卷号 | 59期号:7页码:4530-4534 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 对新型条形辐射探测芯片的吸收膜层进行了理论分析,并且在金刚石材质的探测芯片上采用电镀方法制备了镍磷黑吸收膜.辐射探测芯片的膜层吸收分析表明,芯片吸收膜层的吸收率正比于表面粗糙度.通过对辐射吸收膜层设计与制作工艺的研究,制备出一种用于条形辐射探测芯片的镍磷黑吸收膜,通过测量其表面形貌结构,表明该膜层具有50nm—1.5μm范围的微结构;红外吸收测试表明其吸收率在1.4—8μm波段为0.989以上,从而提高了辐射探测芯片的性能. |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23717]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋,方伟,梁中翥. 辐射探测芯片吸收膜理论设计及镍磷黑膜制备[J]. 物理学报,2010,59(7):4530-4534. |
| APA | 梁静秋,方伟,&梁中翥.(2010).辐射探测芯片吸收膜理论设计及镍磷黑膜制备.物理学报,59(7),4530-4534. |
| MLA | 梁静秋,et al."辐射探测芯片吸收膜理论设计及镍磷黑膜制备".物理学报 59.7(2010):4530-4534. |
入库方式： OAI收割
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