LED阵列的设计和制作工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁静秋
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| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2006-12-30 |
| 卷号 | 6期号:21页码:604 |
| ISSN号 | 1007-2780 |
| 中文摘要 | 根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus-ChristianAmann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm×16μm和2μm。简述了减薄GaAs衬底的作用,设计衬底电隔离沟槽宽度为5μm。采用湿法腐蚀工艺进行器件结构制备,利用不同的腐蚀剂对金属层、p-GaP层、AlGaInP层和n-GaAs衬底层进行腐蚀。实验结果表明,腐蚀后的沟槽形貌较好,其深度和宽度可以达到设计要求。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23773]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋. LED阵列的设计和制作工艺研究[J]. 液晶与显示,2006,6(21):604. |
| APA | 梁静秋.(2006).LED阵列的设计和制作工艺研究.液晶与显示,6(21),604. |
| MLA | 梁静秋."LED阵列的设计和制作工艺研究".液晶与显示 6.21(2006):604. |
入库方式： OAI收割
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