微显示器件中的边缘场效应及其改善方法
文献类型:期刊论文
| 作者 | 刘绍锦 ; 凌志华 |
| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2006-12-30 |
| 期号 | 6 |
| 关键词 | 微显示 边缘场效应 混合排列模式 |
| ISSN号 | 1007-2780 |
| 中文摘要 | 边缘场效应在微显示中的影响是比较显著的,它会使图像质量下降。为了进一步研究这一现象,建立了液晶模型。通过对液晶模型的数值计算,模拟出几种常用显示模式下的边缘场效应,分析了不同模式下边缘场效应产生机理及其影响因素。通过采用混合排列模式,使得像素电极液晶分子变化平缓,减小了因为电极较小而引起的边缘电场的影响,提高了显示对比度和均匀性,改善了显示效果。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24117] ![]() |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘绍锦,凌志华. 微显示器件中的边缘场效应及其改善方法[J]. 液晶与显示,2006(6). |
| APA | 刘绍锦,&凌志华.(2006).微显示器件中的边缘场效应及其改善方法.液晶与显示(6). |
| MLA | 刘绍锦,et al."微显示器件中的边缘场效应及其改善方法".液晶与显示 .6(2006). |
入库方式: OAI收割
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