坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范翊
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| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2006-12-30 |
| 期号 | 6 |
| 关键词 | CaF2晶体 下降法 位错蚀坑 光谱 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 中文摘要 | 采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带。同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24118]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范翊. 坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究[J]. 人工晶体学报,2006(6). |
| APA | 范翊.(2006).坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究.人工晶体学报(6). |
| MLA | 范翊."坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究".人工晶体学报 .6(2006). |
入库方式： OAI收割
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