非理想配比二氧化钒薄膜喇曼光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 袁宏韬 ; 冯克成 ; 张先徽 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 2006-02-20 |
| 期号 | 2 |
| 关键词 | 二氧化钒薄膜 喇曼光谱 非理想配比 射频磁控溅射 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 中文摘要 | 采用射频(RF)磁控溅射在各种条件下制备的VO2薄膜的喇曼光谱曲线。研究发现,和理想配比VO2薄膜的主要喇曼峰相比较,无论是富钒的VO2薄膜还是富氧的VO2薄膜它们主要的喇曼峰都向高频方向移动。我们提供了实验证据并且讨论了非理想配比导致VO2薄膜喇曼光谱变化的原因。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24141]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁宏韬,冯克成,张先徽. 非理想配比二氧化钒薄膜喇曼光谱研究[J]. 功能材料,2006(2). |
| APA | 袁宏韬,冯克成,&张先徽.(2006).非理想配比二氧化钒薄膜喇曼光谱研究.功能材料(2). |
| MLA | 袁宏韬,et al."非理想配比二氧化钒薄膜喇曼光谱研究".功能材料 .2(2006). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。