俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋航 ; 蒋红; 缪国庆
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| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2006-04-30 |
| 期号 | 2 |
| 关键词 | InGaAs探测器 探测率 Auger复合 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24179]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋航,蒋红,缪国庆. 俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响[J]. 半导体光电,2006(2). |
| APA | 宋航,蒋红,&缪国庆.(2006).俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响.半导体光电(2). |
| MLA | 宋航,et al."俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响".半导体光电 .2(2006). |
入库方式： OAI收割
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