脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其发光性质研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孔祥贵
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| 刊名 | 光电子·激光
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| 出版日期 | 2006-09-15 |
| 期号 | 9 |
| 关键词 | ZnO 光致发光(PL) 半高宽(FWHM) 脉冲激光沉积(PLD) |
| ISSN号 | 1005-0086 |
| 中文摘要 | 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过测量X射线衍射(XRD)谱、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱,研究了衬底温度改变对薄膜结构和PL的影响。实验结果表明,当衬底温度从400℃升到700℃时,薄膜的(002)衍射峰半高宽(FWHM)变窄,紫外(UV)发光强度在衬底温度为500℃达到最强。这可能是当衬底温度为500℃时,ZnO薄膜的化学配比较好,说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响。改变衬底温度对薄膜的表面形貌也有较大的影响。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24220]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孔祥贵. 脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其发光性质研究[J]. 光电子·激光,2006(9). |
| APA | 孔祥贵.(2006).脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其发光性质研究.光电子·激光(9). |
| MLA | 孔祥贵."脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其发光性质研究".光电子·激光 .9(2006). |
入库方式： OAI收割
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