808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宁永强 ; 王立军
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| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2007-12-15 |
| 期号 | 6 |
| 关键词 | 大功率半导体激光器 电场强度优化设计 腔面膜 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 推导出半导体激光器前腔面和后腔面上的入射激光功率之比,阐述了后腔面膜电场强度优化设计的重要性。从实际问题出发在以往腔面膜的研制基础上,选择适合制备808nm大功率半导体激光器腔面的镀膜材料。给出了镀制腔面膜过程中会出现的种种关键问题的解决方法,针对各种具体应用提出几种前腔面设计方案。得到后腔面电场强度优化设计的膜系。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24288]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁永强,王立军. 808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计[J]. 半导体光电,2007(6). |
| APA | 宁永强,&王立军.(2007).808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计.半导体光电(6). |
| MLA | 宁永强,et al."808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计".半导体光电 .6(2007). |
入库方式： OAI收割
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