In-situ monitoring of AlGaAs growth by reflectance anisotropy spectroscopy in MOCVD
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang J.L. ; Zhang X.; Zhang X.; Zhang X.; Ning Y.Q.
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| 刊名 | Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 32期号:12页码:1297-1302 |
| ISSN号 | 10007032 |
| 其他题名 | 论文其他题名 |
| 收录类别 | EI |
| 公开日期 | 2012-10-21 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24430]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang J.L.,Zhang X.,Zhang X.,et al. In-situ monitoring of AlGaAs growth by reflectance anisotropy spectroscopy in MOCVD[J]. Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence,2011,32(12):1297-1302. |
| APA | Zhang J.L.,Zhang X.,Zhang X.,Zhang X.,&Ning Y.Q..(2011).In-situ monitoring of AlGaAs growth by reflectance anisotropy spectroscopy in MOCVD.Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence,32(12),1297-1302. |
| MLA | Zhang J.L.,et al."In-situ monitoring of AlGaAs growth by reflectance anisotropy spectroscopy in MOCVD".Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence 32.12(2011):1297-1302. |
入库方式： OAI收割
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