Structural design of vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor laser with 920 nm
文献类型:期刊论文
作者 | Wang L.J.; Qin L.![]() ![]() |
刊名 | Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence
![]() |
出版日期 | 2010 |
卷号 | 31期号:1页码:79-85 |
ISSN号 | 10007032 |
其他题名 | 论文其他题名 |
收录类别 | EI |
公开日期 | 2012-10-21 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24462] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang L.J.,Qin L.,Ning Y.Q.,et al. Structural design of vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor laser with 920 nm[J]. Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence,2010,31(1):79-85. |
APA | Wang L.J.,Qin L.,Ning Y.Q.,&Wang L.J..(2010).Structural design of vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor laser with 920 nm.Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence,31(1),79-85. |
MLA | Wang L.J.,et al."Structural design of vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor laser with 920 nm".Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence 31.1(2010):79-85. |
入库方式: OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。