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Structural design of vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor laser with 920 nm

文献类型:期刊论文

作者Wang L.J.; Qin L.; Ning Y.Q.; Wang L.J.
刊名Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence
出版日期2010
卷号31期号:1页码:79-85
ISSN号10007032
其他题名论文其他题名
收录类别EI
公开日期2012-10-21
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24462]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
Wang L.J.,Qin L.,Ning Y.Q.,et al. Structural design of vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor laser with 920 nm[J]. Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence,2010,31(1):79-85.
APA Wang L.J.,Qin L.,Ning Y.Q.,&Wang L.J..(2010).Structural design of vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor laser with 920 nm.Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence,31(1),79-85.
MLA Wang L.J.,et al."Structural design of vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor laser with 920 nm".Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence 31.1(2010):79-85.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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