中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon

文献类型:期刊论文

作者Jia C. P. ; Dong W. ; Liu C. X. ; Zhou J. G. ; Zhang X. D. ; Sun D. M. ; Zang H. D. ; Xuan W. ; Xua B. K. ; Chen W. Y.
刊名Optik
出版日期2008
卷号119期号:1页码:23-28
ISSN号0030-4026
其他题名论文其他题名
合作状况合作性质
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-10-21
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24836]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
Jia C. P.,Dong W.,Liu C. X.,et al. Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon[J]. Optik,2008,119(1):23-28.
APA Jia C. P..,Dong W..,Liu C. X..,Zhou J. G..,Zhang X. D..,...&Chen W. Y..(2008).Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon.Optik,119(1),23-28.
MLA Jia C. P.,et al."Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon".Optik 119.1(2008):23-28.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。