Low temperature photoluminescence of InAs self-organized quantum dots on (001) InP substrate with GaAs interlayer
文献类型:期刊论文
作者 | Qu Y.![]() ![]() |
刊名 | Journal of Crystal Growth
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出版日期 | 2002 |
卷号 | 234期号:2—3页码:379-383 |
ISSN号 | 0022-0248 |
其他题名 | 论文其他题名 |
合作状况 | 合作性质 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-10-21 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/25203] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Qu Y.,Li M.. Low temperature photoluminescence of InAs self-organized quantum dots on (001) InP substrate with GaAs interlayer[J]. Journal of Crystal Growth,2002,234(2—3):379-383. |
APA | Qu Y.,&Li M..(2002).Low temperature photoluminescence of InAs self-organized quantum dots on (001) InP substrate with GaAs interlayer.Journal of Crystal Growth,234(2—3),379-383. |
MLA | Qu Y.,et al."Low temperature photoluminescence of InAs self-organized quantum dots on (001) InP substrate with GaAs interlayer".Journal of Crystal Growth 234.2—3(2002):379-383. |
入库方式: OAI收割
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