1.3-mu m emission of Nd : LaF3 thin films grown by molecular beam epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang X.; Zhang X.; Zhang X. |
| 刊名 | Ieee Journal of Quantum Electronics
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 36期号:2页码:243-247 |
| ISSN号 | 0018-9197 |
| 其他题名 | 论文其他题名 |
| 合作状况 | 合作性质 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-10-21 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/25267]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang X.,Zhang X.,Zhang X.. 1.3-mu m emission of Nd : LaF3 thin films grown by molecular beam epitaxy[J]. Ieee Journal of Quantum Electronics,2000,36(2):243-247. |
| APA | Zhang X.,Zhang X.,&Zhang X..(2000).1.3-mu m emission of Nd : LaF3 thin films grown by molecular beam epitaxy.Ieee Journal of Quantum Electronics,36(2),243-247. |
| MLA | Zhang X.,et al."1.3-mu m emission of Nd : LaF3 thin films grown by molecular beam epitaxy".Ieee Journal of Quantum Electronics 36.2(2000):243-247. |
入库方式： OAI收割
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