Hetero- and homoepitaxial Nd3+-doped LaF3 thin films grown by molecular beam epitaxy: A spectroscopic study
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang X.
|
| 刊名 | Journal of Applied Physics
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 86期号:7页码:3699-3704 |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 其他题名 | 论文其他题名 |
| 合作状况 | 合作性质 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-10-21 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/25320]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang X.. Hetero- and homoepitaxial Nd3+-doped LaF3 thin films grown by molecular beam epitaxy: A spectroscopic study[J]. Journal of Applied Physics,1999,86(7):3699-3704. |
| APA | Zhang X..(1999).Hetero- and homoepitaxial Nd3+-doped LaF3 thin films grown by molecular beam epitaxy: A spectroscopic study.Journal of Applied Physics,86(7),3699-3704. |
| MLA | Zhang X.."Hetero- and homoepitaxial Nd3+-doped LaF3 thin films grown by molecular beam epitaxy: A spectroscopic study".Journal of Applied Physics 86.7(1999):3699-3704. |
入库方式： OAI收割
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