Infrared-laser-induced upconversion from Nd3+: LaF3 heteroepitaxial layers on CaF2(111) substrates by molecular beam epitaxy
文献类型:期刊论文
作者 | Zhang X.; Zhang X.; Zhang X. |
刊名 | Physical Review B
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出版日期 | 2000 |
卷号 | 62期号:7页码:4446-4454 |
ISSN号 | 0163-1829 |
其他题名 | 论文其他题名 |
合作状况 | 合作性质 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-10-21 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/25912] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang X.,Zhang X.,Zhang X.. Infrared-laser-induced upconversion from Nd3+: LaF3 heteroepitaxial layers on CaF2(111) substrates by molecular beam epitaxy[J]. Physical Review B,2000,62(7):4446-4454. |
APA | Zhang X.,Zhang X.,&Zhang X..(2000).Infrared-laser-induced upconversion from Nd3+: LaF3 heteroepitaxial layers on CaF2(111) substrates by molecular beam epitaxy.Physical Review B,62(7),4446-4454. |
MLA | Zhang X.,et al."Infrared-laser-induced upconversion from Nd3+: LaF3 heteroepitaxial layers on CaF2(111) substrates by molecular beam epitaxy".Physical Review B 62.7(2000):4446-4454. |
入库方式: OAI收割
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