High Spectrum Selectivity Ultraviolet Photodetector Fabricated from an n-ZnO/p-GaN Heterojunction
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhu H. ; Shan C. X. ; Yao B. ; Li B. H. ; Zhang J. Y. ; Zhao D. X. ; Shen D. Z. ; Fan X. W. |
| 刊名 | Journal of Physical Chemistry C
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 112期号:51页码:20546-20548 |
| ISSN号 | 1932-7447 |
| 其他题名 | 论文其他题名 |
| 合作状况 | 合作性质 |
| 收录类别 | SCI ; EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-10-21 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/26386]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhu H.,Shan C. X.,Yao B.,et al. High Spectrum Selectivity Ultraviolet Photodetector Fabricated from an n-ZnO/p-GaN Heterojunction[J]. Journal of Physical Chemistry C,2008,112(51):20546-20548. |
| APA | Zhu H..,Shan C. X..,Yao B..,Li B. H..,Zhang J. Y..,...&Fan X. W..(2008).High Spectrum Selectivity Ultraviolet Photodetector Fabricated from an n-ZnO/p-GaN Heterojunction.Journal of Physical Chemistry C,112(51),20546-20548. |
| MLA | Zhu H.,et al."High Spectrum Selectivity Ultraviolet Photodetector Fabricated from an n-ZnO/p-GaN Heterojunction".Journal of Physical Chemistry C 112.51(2008):20546-20548. |
入库方式： OAI收割
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