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锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响

文献类型:期刊论文

作者张晓亮; 贾均红; 易戈文
刊名功能材料
出版日期2011
卷号42期号:11页码:1993-1997
关键词ATO纳米颗粒 Sb掺杂量 sol-gel法 XPS 电阻率 ATO nanoparticles Sb content sol-gel method resistivit
ISSN号1001-9731
通讯作者易戈文
中文摘要以SnCl4·5H2和SbCl3为主要原料 采用sol-gel法制备了锑掺杂二氧化锡ATO 纳米粉体。分别利用FESEM、XRD、FT-IR、XPS及四探针电阻仪对粉体形貌、晶体结构、元素组成和粉末电阻进行表征,考察Sb掺杂量对ATO粒子晶体结构、晶粒尺寸和导电性能的影响。结果表明所制备的ATO为(110)面择优取向的四方相锡石结构的纳米颗粒,当Sb掺杂量为15%(摩尔分数)时,ATO具有最小的粉末电阻率(12.85 Ω·cm)当Sb掺杂量≤28%时可得到完全掺杂的ATO,ATO的导电性与其中的Sb5+ 离子浓度有关,而且Sb含量在28%以下可能存在一个阈值,有利于固溶在SnO2晶格中的Sb形成Sb5+,使载流子浓度达到最大,因而表现出最佳的导电性能。
学科主题材料科学与物理化学
收录类别EI
资助信息国家自然科学基金资助项目(50705094);中国科学院百人计划项目(KGCX2-YW-804)
语种中文
公开日期2012-09-24
源URL[http://210.77.64.217/handle/362003/885]  
专题兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
兰州化学物理研究所_先进润滑与防护材料研究发展中心
通讯作者易戈文
推荐引用方式
GB/T 7714
张晓亮,贾均红,易戈文. 锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响[J]. 功能材料,2011,42(11):1993-1997.
APA 张晓亮,贾均红,&易戈文.(2011).锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响.功能材料,42(11),1993-1997.
MLA 张晓亮,et al."锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响".功能材料 42.11(2011):1993-1997.

入库方式: OAI收割

来源:兰州化学物理研究所

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