典型器件和电路不同剂量率的辐射效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆妩 ; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 郭旗; 余学峰; 何承发
|
| 刊名 | 信息与电子工程
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 4页码:484-489 |
| 关键词 | 双极类模拟电路 CMOS类电路 60Coγ辐照 剂量率效应 |
| 中文摘要 | 对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。对双极器件和电路及JFET输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析。结果显示,器件类型不同,失效模式也相异。其典型的失效模式表现为4种:a)仅有低剂量率辐照损伤增强效应;b)既有低剂量率辐照损伤增强效应,又有时间相关效应;c)仅有时间相关效应;d)无不同剂量率辐照损伤间的差异。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1354]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆妩,任迪远,郑玉展,等. 典型器件和电路不同剂量率的辐射效应[J]. 信息与电子工程,2012(4):484-489. |
| APA | 陆妩.,任迪远.,郑玉展.,王义元.,郭旗.,...&何承发.(2012).典型器件和电路不同剂量率的辐射效应.信息与电子工程(4),484-489. |
| MLA | 陆妩,et al."典型器件和电路不同剂量率的辐射效应".信息与电子工程 .4(2012):484-489. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。