中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷
文献类型：期刊论文
| 作者 | 席善斌; 陆妩 ; 王志宽; 任迪远; 周东; 文林; 孙静
|
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 61期号:7页码:350-355 |
| 关键词 | 中带电压法 栅控 横向pnp双极晶体管 电荷分离 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 其他题名 | use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors |
| 中文摘要 | 设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍. |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1494]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院；模拟集成电路国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 席善斌,陆妩,王志宽,等. 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷[J]. 物理学报,2012,61(7):350-355. |
| APA | 席善斌.,陆妩.,王志宽.,任迪远.,周东.,...&孙静.(2012).中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷.物理学报,61(7),350-355. |
| MLA | 席善斌,et al."中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷".物理学报 61.7(2012):350-355. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。