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不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应

文献类型:期刊论文

作者席善斌; 陆妩; 郑玉展; 许发月; 周东; 李明; 王飞; 王志宽; 杨永晖
刊名原子能科学技术
出版日期2010
期号1页码:533-537
关键词NPN双极晶体管 60Coγ辐照 基区掺杂浓度 低剂量率辐照损伤增强效应
中文摘要对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。
公开日期2012-11-29
源URL[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1699]  
专题新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;模拟集成电路国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
席善斌,陆妩,郑玉展,等. 不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应[J]. 原子能科学技术,2010(1):533-537.
APA 席善斌.,陆妩.,郑玉展.,许发月.,周东.,...&杨永晖.(2010).不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应.原子能科学技术(1),533-537.
MLA 席善斌,et al."不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应".原子能科学技术 .1(2010):533-537.

入库方式: OAI收割

来源:新疆理化技术研究所

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