不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 费武雄; 陆妩 ; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 陈睿; 王志宽; 杨永晖; 李茂顺; 兰博
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 33期号:4页码:274-277 |
| 关键词 | NPN双极晶体管 低剂量率 偏置 60Coγ辐照 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 其他题名 | the low dose rate radiation response of npn bipolar transistors under different bias |
| 中文摘要 | 对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小。讨论了出现这种结果的内在机制。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1712]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院；集成电路国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 费武雄,陆妩,任迪远,等. 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响[J]. 核技术,2010,33(4):274-277. |
| APA | 费武雄.,陆妩.,任迪远.,郑玉展.,王义元.,...&赵云.(2010).不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响.核技术,33(4),274-277. |
| MLA | 费武雄,et al."不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响".核技术 33.4(2010):274-277. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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