正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑玉展; 陆妩 ; 任迪远; 王义元; 陈睿; 费武雄
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 5页码:357-361 |
| 关键词 | JFET输入运算放大器 正常工作状态 零偏置状态 辐射损伤 |
| 中文摘要 | 对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验。结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤。正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应。高剂量率或低剂量率辐射情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态。高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱。从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET运放电路的退化行为进行了解释。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1721]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑玉展,陆妩,任迪远,等. 正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤[J]. 核技术,2010(5):357-361. |
| APA | 郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,陈睿,&费武雄.(2010).正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤.核技术(5),357-361. |
| MLA | 郑玉展,et al."正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤".核技术 .5(2010):357-361. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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