金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张希涛; 陈朝阳 ; 范艳伟; 丛秀云
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| 刊名 | 电子元件与材料
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 30期号:6页码:29-32 |
| ISSN号 | 1001-2028 |
| 关键词 | NTC热敏电阻 单晶硅 金 铂 深能级杂质 |
| 其他题名 | study of ntcr based on doping au and pt into single crystal silicon |
| 中文摘要 | 采用开管涂源法,对ρ25为7?.cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR。研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析。结果表明:扩散温度θ=1 200℃、扩散时间t≥2 h时,导电类型反型为p型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000 K左右,ρ25恒定在(2~3)×103?.cm。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1562]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张希涛,陈朝阳,范艳伟,等. 金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究[J]. 电子元件与材料,2011,30(6):29-32. |
| APA | 张希涛,陈朝阳,范艳伟,&丛秀云.(2011).金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究.电子元件与材料,30(6),29-32. |
| MLA | 张希涛,et al."金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究".电子元件与材料 30.6(2011):29-32. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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