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抗辐射加固封装国产存储器的电子辐照试验

文献类型:期刊论文

作者卫宁; 王剑峰; 杜婕; 周聪莉; 郭旗; 文林
刊名信息与电子工程
出版日期2010
期号1页码:87-90
关键词抗辐射封装 屏蔽 存储器芯片 电子辐照试验
中文摘要用特种复合屏蔽材料和缝焊封接工艺进行抗辐射封装,在普通封装存储器28C256的基础上,研制了抗辐射封装加固存储器LS28C256R。设计专用试验测试电路板和测试软件,以进行存储器器件加电工作条件下电子加速器辐照试验的动态测试。辐照对比试验结果表明,加固存储器LS28C256R的抗电子源辐照能力比普通封装存储器28C256提高1~2个数量级,为商用成品(Commercial Off-The-Shelf,COTS)器件在空间领域中的应用提供了技术支撑。
公开日期2012-11-29
源URL[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1707]  
专题新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
固体辐射物理研究室
作者单位航天时代电子公司第771研究所;中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
卫宁,王剑峰,杜婕,等. 抗辐射加固封装国产存储器的电子辐照试验[J]. 信息与电子工程,2010(1):87-90.
APA 卫宁,王剑峰,杜婕,周聪莉,郭旗,&文林.(2010).抗辐射加固封装国产存储器的电子辐照试验.信息与电子工程(1),87-90.
MLA 卫宁,et al."抗辐射加固封装国产存储器的电子辐照试验".信息与电子工程 .1(2010):87-90.

入库方式: OAI收割

来源:新疆理化技术研究所

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