Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董茂进; 陈朝阳 ; 范艳伟; 丛秀云; 王军华; 陶明德
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| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 40期号:1页码:37-39 |
| 关键词 | 双重掺杂 深能级杂质 Au Ni 热敏特性 |
| ISSN号 | 10019731 |
| 中文摘要 | 为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法,对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂,得到对温度敏感的补偿硅材料,并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其导电类型仍为n型,且电阻率较低,为欠补偿,测试结果表明其常温电阻率2ρ5=64~416Ω.cm,温度敏感系数(B值)在5300K左右;根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值,与实验值基本一致。 |
| 英文摘要 | In order to obtaln the low resistance and high B-value crystal silicon material, smearlng Au and Ni impurities were doped ln n-type silicon and were put ln openlng environment to heart. The thermal-sensitive silicon material is obtalned. The characteristics of the material are measured and analyzed. It is shown that the electrical resistivity of the material is low, and it is still n-type, low compensated, the electrical resistivities are ρ25=64-416 Ω·cm under room temperature, the B-values are about 5300 K. The B-value calculated by the theory of the semiconductor deep level energy is basically identical with the test value. |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1761]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董茂进,陈朝阳,范艳伟,等. Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性[J]. 功能材料,2009,40(1):37-39. |
| APA | 董茂进,陈朝阳,范艳伟,丛秀云,王军华,&陶明德.(2009).Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性.功能材料,40(1),37-39. |
| MLA | 董茂进,et al."Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性".功能材料 40.1(2009):37-39. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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