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剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙静; 郭旗 ; 张军; 任迪远; 陆妩; 余学锋; 文林; 王改丽; 郑玉展
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 39期号:1页码:128-131 |
| 关键词 | PMOSFET 剂量计 剂量率 阈值响应 灵敏度 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 其他题名 | influence of dose rate on radiation response of pmosfet dosimeter |
| 中文摘要 | 研究了不同剂量率下PMOS剂量计阈值电压的响应。在VTH偏置下,观察了剂量率对PMOS剂量计辐射响应线性度和灵敏度的影响规律及其退火特性。试验结果表明:随着剂量率降低,n值趋近于1,表现出较好的线性度,响应灵敏度也增加。分析认为,PMOS剂量计有明显的低剂量率辐射敏感增强效应(ELDRS),对其损伤机理作了进一步的讨论。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1765]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 新疆大学物理科学与技术学院；中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙静,郭旗,张军,等. 剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响[J]. 微电子学,2009,39(1):128-131. |
| APA | 孙静.,郭旗.,张军.,任迪远.,陆妩.,...&郑玉展.(2009).剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响.微电子学,39(1),128-131. |
| MLA | 孙静,et al."剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响".微电子学 39.1(2009):128-131. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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