屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤
文献类型：期刊论文
| 作者 | 文林 ; 郭旗; 张军; 任迪远; 孙静; 郑玉展; 王改丽
|
| 刊名 | 核电子学与探测技术
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 29期号:2页码:398-401 |
| 关键词 | 抗辐射屏蔽材料 CMOS 电子辐照 静态功耗电流 |
| ISSN号 | 0258-0934 |
| 其他题名 | electron-induced damage of cmos with shielded packages |
| 中文摘要 | 为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时,应该以什么参数作为评判依据的问题,对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究。通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化,分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理。通过分析,指出了当前屏蔽材料封装存在的不足,以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1788]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 新疆大学物理科学与技术学院;中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 文林,郭旗,张军,等. 屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤[J]. 核电子学与探测技术,2009,29(2):398-401. |
| APA | 文林.,郭旗.,张军.,任迪远.,孙静.,...&王改丽.(2009).屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤.核电子学与探测技术,29(2),398-401. |
| MLA | 文林,et al."屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤".核电子学与探测技术 29.2(2009):398-401. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。