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不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑玉展; 陆妩 ; 任迪远; 王义元; 郭旗; 余学锋; 何承发
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 58期号:8页码:5572-5577 |
| 关键词 | 发射极面积 国产npn晶体管 剂量率 辐射损伤 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 其他题名 | characteristics of high- and low-dose-rate damage for domestic npn transistors of various emitter areas |
| 中文摘要 | 影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索. |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1795]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑玉展,陆妩,任迪远,等. 不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性[J]. 物理学报,2009,58(8):5572-5577. |
| APA | 郑玉展.,陆妩.,任迪远.,王义元.,郭旗.,...&何承发.(2009).不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性.物理学报,58(8),5572-5577. |
| MLA | 郑玉展,et al."不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性".物理学报 58.8(2009):5572-5577. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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