Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 余学峰 ; 张国强; 艾尔肯; 郭旗; 陆妩; 任迪远
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| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 26期号:3页码:328-330 |
| 关键词 | MOS电容 氧化物电荷 界面态 能级分布 |
| ISSN号 | 2580934 |
| 其他题名 | the si/sio2 system's damage and energy band distribution of interface states induced by total dose radiation |
| 中文摘要 | 对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性。 |
| 英文摘要 | Responses of three kinds of MOS capacitors to the total dose radiation have been compared and studied. The characteristic and mechanism of the radiation inducing damage in the Si/SiO2 system were explored from the view of the generation of the oxide charges and interface states, and, especially, the change of the energy band of interface states. |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1915]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余学峰,张国强,艾尔肯,等. Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布[J]. 核电子学与探测技术,2006,26(3):328-330. |
| APA | 余学峰,张国强,艾尔肯,郭旗,陆妩,&任迪远.(2006).Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布.核电子学与探测技术,26(3),328-330. |
| MLA | 余学峰,et al."Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布".核电子学与探测技术 26.3(2006):328-330. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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