双极晶体管不同温度的退火效应与机理
文献类型:期刊论文
作者 | 汪东; 陆妩![]() |
刊名 | 核电子学与探测技术
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出版日期 | 2007 |
卷号 | 27期号:1页码:150-153 |
关键词 | 双极晶体管 退火效应 界面态 |
ISSN号 | 0258-0934 |
其他题名 | the effect and mechanism of the bipolar junction transistor in different temperature |
中文摘要 | 研究了双极晶体管不同温度下的退火效应,发现双极晶体管的退火与温度有关,而且不同类型晶体管的退火效应是有差异的,最后文章讨论了其中可能的内在机制. |
英文摘要 | The annealing-effect of bipolar junction transistor in different temperature is investigated. It is found that the anneal of the bipolar transistor is related to the annealing-temperature, and the annealing-effect of the different type transistor is dissimilar. The possible mechanism is discussed. |
公开日期 | 2012-11-29 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1931] ![]() |
专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所;长沙理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪东,陆妩,任迪远,等. 双极晶体管不同温度的退火效应与机理[J]. 核电子学与探测技术,2007,27(1):150-153. |
APA | 汪东,陆妩,任迪远,李爱武,匡治兵,&张华林.(2007).双极晶体管不同温度的退火效应与机理.核电子学与探测技术,27(1),150-153. |
MLA | 汪东,et al."双极晶体管不同温度的退火效应与机理".核电子学与探测技术 27.1(2007):150-153. |
入库方式: OAI收割
来源:新疆理化技术研究所
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