应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘刚; 余学锋; 任迪远; 牛振红; 高嵩 |
| 刊名 | 辐射研究与辐射工艺学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 24期号:4页码:201-204 |
| 关键词 | 金属氧化物半导体场效应功率管 辐射响应 退火特性 |
| ISSN号 | 1000-3436 |
| 其他题名 | radiation effects and annealing of power mosfet for space applications |
| 中文摘要 | 为给金属氧化物半导体场效应功率管(PowerMOSFET)在航天系统中的应用提供辐照数据基础和依据。用60Co源对将应用于空间系统的两种PowerMOSFET进行了不同总剂量的辐照实验。从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度,分析了PowerMOSFET器件在60Coγ射线辐射下的总剂量和剂量率效应以及辐照后70℃退火特性。试验表明与N沟道PowerMOSFET相比,P沟道PowerMOSFET可能更适合空间应用。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1948]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘刚,余学锋,任迪远,等. 应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性[J]. 辐射研究与辐射工艺学报,2006,24(4):201-204. |
| APA | 刘刚,余学锋,任迪远,牛振红,&高嵩.(2006).应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性.辐射研究与辐射工艺学报,24(4),201-204. |
| MLA | 刘刚,et al."应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性".辐射研究与辐射工艺学报 24.4(2006):201-204. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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