一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛振红; 郭旗 ; 任迪远; 刘刚; 高嵩; 肖志斌
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 30期号:1页码:37-39 |
| 关键词 | 多结太阳电池 GaInP/GaAs/Ge 电子辐照 辐照效应 光谱响应 |
| ISSN号 | 2533219 |
| 其他题名 | effects of electron irradiation on a home-made type of triple-junction gainp/gaas/ge solar cell |
| 中文摘要 | 对一种国产GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究,分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明,这种电池不但有很高的初始效率,而且有好的抗辐射性,电子注量达到1×1015cm-2时,最大输出功率为辐照前的80．4%。辐照后GalnP顶电池几乎不发生退化,而GaAs中间电池短路电流严重退化,致使GalnP顶电池与GaAs中间电池电流失配,是GalnP/GaAs/Ge电池性能退化的主要原因。 |
| 英文摘要 | Radiation effects of 1 MeV electron on a home-made type of triple-junction GaInP/GaAs/Ge solar cell have been investigated. The results indicate that the GaInP/GaAs/Ge solar cell has high efficiency and high radiation hardness. The final-to-initial maximum power ratio (P/P0) of the GaInP/GaAs/Ge cell was 80.4% at a fluence of l × l015 cm-2. The spectral response of the GaInP top subcell showed little degradation, and this was not a limitation for GaInP/GaAs/Ge cell performance. The GaAs middle subcell Isc, however, presented serious degradation. The degradation of GaInP/GaAs/Ge solar cell is due primarily to the GaAs middle subcell. |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1965]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所; 天津电源研究所;中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛振红,郭旗,任迪远,等. 一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性[J]. 核技术,2007,30(1):37-39. |
| APA | 牛振红,郭旗,任迪远,刘刚,高嵩,&肖志斌.(2007).一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性.核技术,30(1),37-39. |
| MLA | 牛振红,et al."一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性".核技术 30.1(2007):37-39. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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