电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果
文献类型：期刊论文
| 作者 | 文林 ; 张军; 郭旗; 任迪远; 孙静; 郑玉展; 王改丽
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| 刊名 | 新疆大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 25期号:3页码:322-324 |
| 关键词 | 屏蔽材料 理论计算 MOS 电子辐照 |
| ISSN号 | 1000-2839 |
| 其他题名 | effectiveness of electronic device shielded packages |
| 中文摘要 | 针对电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果评估方法及理论计算在器件屏蔽封装中应用的问题,本文通过理论计算一种屏蔽材料对1.0MeV电子的屏蔽效果,以及对应的实验验证,指出此种屏蔽材料有很好的屏蔽电子辐射作用.研究证明了理论与实验相互验证的方法能很好的评估屏蔽材料的屏蔽效果,同时指出理论计算的结果能在屏蔽材料设计中作为依据. |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2089]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 新疆大学物理科学与技术学院;中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 文林,张军,郭旗,等. 电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果[J]. 新疆大学学报(自然科学版),2008,25(3):322-324. |
| APA | 文林.,张军.,郭旗.,任迪远.,孙静.,...&王改丽.(2008).电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果.新疆大学学报(自然科学版),25(3),322-324. |
| MLA | 文林,et al."电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果".新疆大学学报(自然科学版) 25.3(2008):322-324. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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