高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 崔志明; 陈朝阳 ; 巴维真; 蔡志军; 丛秀云
|
| 刊名 | 电子元件与材料
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 25期号:3页码:53-55 |
| 关键词 | 电子技术 高补偿硅 化学沉积法 硅镍化合物 |
| ISSN号 | 1001-2028 |
| 其他题名 | ohm contact of ni electrode platinged on the high compensation single crystal si ntcr |
| 中文摘要 | 采用4.5 Ω·cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅.用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极.用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线.结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触. |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2108]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔志明,陈朝阳,巴维真,等. 高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究[J]. 电子元件与材料,2006,25(3):53-55. |
| APA | 崔志明,陈朝阳,巴维真,蔡志军,&丛秀云.(2006).高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究.电子元件与材料,25(3),53-55. |
| MLA | 崔志明,et al."高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究".电子元件与材料 25.3(2006):53-55. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。