不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 任迪远; 陆妩 ; 余学锋; 郭旗; 张国强; 胡浴红; 王明刚; 赵文魁
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:7页码:780-784 |
| 关键词 | 注FCMOS运算放大器 电离辐照 跨导 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 其他题名 | relativity of radiation damage in fluorinated cmos operational amplifiers |
| 中文摘要 | 在不同注 F剂量条件下 ,对 P沟和 N沟两种不同差分对输入 CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究 .分析比较了注 F和未注 F运放电路电离辐照响应之间的差异 .结果表明 ,在栅场介质注入适量的 F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长 ,从而提高 CMOS运放电路的抗辐照特性 . |
| 英文摘要 | Ionizing radiation effects on fluorinated and no F-implanted CMOS operational amplifiers are investigated,and the difference between the radiation performances is analyzed and compared. The results show that the suit F-implanted can avail-ably control the increase of radiation induced oxide charge especially for interface state so that the capacity of radiation hard-ness is improved. |
| 学科主题 | Engineering (provided by Thomson Reuters) |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2123]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所； 西安微电子技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任迪远,陆妩,余学锋,等. 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性[J]. 半导体学报,2003,24(7):780-784. |
| APA | 任迪远.,陆妩.,余学锋.,郭旗.,张国强.,...&赵文魁.(2003).不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性.半导体学报,24(7),780-784. |
| MLA | 任迪远,et al."不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性".半导体学报 24.7(2003):780-784. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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