AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范隆; 李培咸; 郝跃 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:9页码:937-941 |
| 关键词 | AlGaN/GaN异质结 辐射 界面态电荷 二维电子气 迁移率 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 其他题名 | effect of irradiation induced heterointerface state charges on 2deg transport property in algan/gan heterostructures |
| 中文摘要 | 根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用 ,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气 (2DEG)迁移率的散射模型 .计算了在不同沟道电子面密度下 ,界面态电荷密度与其所限制的迁移率之间的关系 .运用马德森定则分析了辐射感生界面态电荷散射对总迁移率的影响 .分析表明 ,辐射感生界面态电荷在累积到一定量后 ,会显著影响迁移率 ,一定程度上提高 2DEG密度能抑制界面态电荷散射的作用 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2124]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 西安电子科技大学微电子所；中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范隆,李培咸,郝跃. AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响[J]. 半导体学报,2003,24(9):937-941. |
| APA | 范隆,李培咸,&郝跃.(2003).AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响.半导体学报,24(9),937-941. |
| MLA | 范隆,et al."AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响".半导体学报 24.9(2003):937-941. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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