大规模存储器电离辐射试验方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 匡治兵; 郭旗; 吾勤之; 任迪远; 陆妩
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 5页码:489-492 |
| 关键词 | 测试方法 电离辐射 总剂量效应 存储器 |
| 中文摘要 | 提出了大规模存储器总剂量效应实验方法,给出了随机存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM)和闪速存储器(Flash ROM)的60Coγ总剂量效应,以及辐照后在100℃高温条件下退火的实验结果。对实验现象进行了分析。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2148]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 匡治兵,郭旗,吾勤之,等. 大规模存储器电离辐射试验方法[J]. 微电子学,2005(5):489-492. |
| APA | 匡治兵,郭旗,吾勤之,任迪远,&陆妩.(2005).大规模存储器电离辐射试验方法.微电子学(5),489-492. |
| MLA | 匡治兵,et al."大规模存储器电离辐射试验方法".微电子学 .5(2005):489-492. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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