MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 余学峰 ; 任迪远; 艾尔肯; 张国强; 陆妩; 郭旗
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:10页码:1975-1978 |
| 关键词 | 热载子注入 总剂量辐照 相关性 |
| ISSN号 | 2534177 |
| 其他题名 | Correlations Between MOS Structures＇ Responses to Hot-Carrier Injection and Total Dose Radiation |
| 中文摘要 | 通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性.研究结果表明,热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤,但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负电荷引起的,后者产生的损伤是由于电离辐射在MOS结构的Si/SiO2系统感生氧化物正电荷和界面态而导致的.进一步的研究表明,针对总剂量辐射损伤采用的加固工艺,能对热电子注入感生氧化物负电荷起到非常有效的抑制作用. |
| 英文摘要 | By comparing the MOS structure's responses to hot-carrier injection and total dose radiation, the correlation between them is investigated. It is shown that both hot-carrier injection and total dose radiation can cause damage on MOS structures, but what hot-carrier injection brings in MOS structures are negative oxide charges, while total dose radiation brings positive oxide charges and interface states. Further investigation indicates that the total dose radiation hardening process can also restrain the generation of negative oxide charges induced by hot-carrier injection. |
| 学科主题 | Engineering (provided by Thomson Reuters) |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2155]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余学峰,任迪远,艾尔肯,等. MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性[J]. 半导体学报,2005,26(10):1975-1978. |
| APA | 余学峰,任迪远,艾尔肯,张国强,陆妩,&郭旗.(2005).MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性.半导体学报,26(10),1975-1978. |
| MLA | 余学峰,et al."MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性".半导体学报 26.10(2005):1975-1978. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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