高补偿硅的光敏感特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张建; 巴维真; 陈朝阳 ; 丛秀云; 陶明德; M.K.巴哈迪尔哈诺夫
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| 刊名 | 电子元件与材料
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 23期号:3页码:20-22 |
| 关键词 | p型单晶硅 掺杂锰 高补偿硅 光敏感特性 |
| ISSN号 | 1001-2028 |
| 其他题名 | highly compensated si:light-sensitive characteristic |
| 中文摘要 | 对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。 |
| 英文摘要 | Highly compensated Si were acquired by diffusing Mn into p-type silicon crystal of 5 Q. o cm at high temperature.It's light-sensitive characteristic was measured at 25°C and -196"C. The measurement results show that obtained materials are sensitive to light and the sensitivity is affected by applied voltage, sample temperature and their resistivity. |
| 学科主题 | Engineering (provided by Thomson Reuters) |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2187]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；塔什干国立技术大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张建,巴维真,陈朝阳,等. 高补偿硅的光敏感特性[J]. 电子元件与材料,2004,23(3):20-22. |
| APA | 张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,&M.K.巴哈迪尔哈诺夫.(2004).高补偿硅的光敏感特性.电子元件与材料,23(3),20-22. |
| MLA | 张建,et al."高补偿硅的光敏感特性".电子元件与材料 23.3(2004):20-22. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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