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补偿硅的温度敏感特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张建; 巴维真; 陈朝阳 ; 丛秀云; 陶明德; M.K.巴哈迪尔哈诺夫
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| 刊名 | 电子元件与材料
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 23期号:5页码:23-24,28 |
| 关键词 | 补偿硅 高补偿 过补偿 温敏特性 |
| ISSN号 | 1001-2028 |
| 其他题名 | compensated silicon: thermal-sensitive characteristic |
| 中文摘要 | 采用低电阻车的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅。在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×10~3、4.8×10~4、1.3×10~5、3.2×10~5Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5103,5600,6103,6502 K。这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性。 |
| 英文摘要 | High compensated silicon and over compensated silicon were acquired by diffiusing Mn-metal into p-type silicon of low resistivity at high temperature. The acquired samples of resistivity of 3.2*10~3Omega ?cm, 4.8*10~4Omega ?, 1.3*10~5Omega ?, 3.2xl0~5Omega ? cm are measured. Their B-values are 5 103, 5 600, 6 103, 6 502 K, respectively. The compensated silicon is very sensitive to ambient temperature. |
| 学科主题 | Engineering (provided by Thomson Reuters) |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2191]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；塔什干国立技术大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张建,巴维真,陈朝阳,等. 补偿硅的温度敏感特性[J]. 电子元件与材料,2004,23(5):23-24,28. |
| APA | 张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,&M.K.巴哈迪尔哈诺夫.(2004).补偿硅的温度敏感特性.电子元件与材料,23(5),23-24,28. |
| MLA | 张建,et al."补偿硅的温度敏感特性".电子元件与材料 23.5(2004):23-24,28. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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