预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 崔帅; 余学峰 ; 任迪远; 张华林; 艾尔肯
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 1页码:111-114 |
| 关键词 | 预先老化 辐照 注F 可靠性 |
| 中文摘要 | 对注F和未注FCC4 0 0 7器件在 10 0℃高温老化后的Co60 辐照特性进行了研究 .研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累 ,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累 ,损害了器件的可靠性 .可见 ,栅介质中F离子的引入可以明显提高器件的可靠性 |
| 收录类别 | CSCD |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2214]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔帅,余学峰,任迪远,等. 预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响[J]. 半导体学报,2005(1):111-114. |
| APA | 崔帅,余学峰,任迪远,张华林,&艾尔肯.(2005).预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响.半导体学报(1),111-114. |
| MLA | 崔帅,et al."预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响".半导体学报 .1(2005):111-114. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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