PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 靳涛; 杨志安; 杨祖慎; 姚育娟; 罗伊虹 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 28期号:2页码:105-108 |
| 关键词 | 脉冲X射线 场效应晶体管 辐射效应 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 其他题名 | radiation effects of pmosfet irradiated by pulse x-ray |
| 中文摘要 | 根据 P 沟道金属氧化物场效应晶体管 (PMOSFET) 在低能脉冲 X 射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET 实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理。 |
| 英文摘要 | The PMOSFET was irradiated by low energy pulse X-rays and its threshold voltage was continuously measured. Based on the experimental results and the structure of PMOSFET, mechanism of the threshold shift was discussed. |
| 学科主题 | Physics (provided by Thomson Reuters) |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2223]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆大学物理系；西北核技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 靳涛,杨志安,杨祖慎,等. PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应[J]. 核技术,2005,28(2):105-108. |
| APA | 靳涛,杨志安,杨祖慎,姚育娟,&罗伊虹.(2005).PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应.核技术,28(2),105-108. |
| MLA | 靳涛,et al."PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应".核技术 28.2(2005):105-108. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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